| 工艺条件 | 单位 | 工艺参数 | |
| 沉积 | H2 | slm | 4.0 |
| O2 | slm | 8.0 | |
| Ar | slm | 2.5 | |
| SiCl4 | sccm | 70 | |
| GeCl4 | sccm | 8 | |
| POCl3 | sccm | 60 | |
| BCl3 | sccm | 100 | |
| 沉积周期 | pass | 10 | |
| 烧结 | 烧结温度 | ˚C | 1220 |
| He | slm | 2.0 | |
| O2 | slm | 1.0 | |
| 测试 | RI | - | 1.444 |
| 厚度 | um | 20.85 | |